8月21日消息，SK海力士宣布成功开发面向AI行业的超高性能DRAM新产品HBM3E，这是目前可用于AI应用的下一代最高规格DRAM。据悉，SK海力士计划在明年上半年开始量产HBM3E，现已提供给NVIDIA和其他客户进行性能评估。
SK海力士透露，该产品可每秒处理1．15TB的数据，相当于能在1秒内处理230部5GB大小的全高清级电影。
此外，通过在最新产品上采用先进质量回流模塑底部填充（MR－MUF）的尖端技术，该产品的散热性能提高了10％。它还提供向后兼容性，甚至可以在为 HBM3 准备的系统上采用最新产品，而无需修改设计或结构。
(资料图片仅供参考)
（注：MR－MUF：将半导体芯片堆叠后，为了保护芯片和芯片之间的电路，在其空间中注入液体形态的保护材料，并进行固化的封装工艺技术。与每堆叠一个芯片时铺上薄膜型材料的方式相较，工艺效率更高，散热方面也更加有效。
向后兼容性（Backward compatibility）：指在配置为与旧版产品可兼容的IT／计算系统内，无需另行修改或变更即可直接使用新产品。例如，对CPU或GPU企业，如果半导体存储器新产品具有向后兼容性，则无需进行基于新产品的设计变更等，具有可直接使用现有CPU／GPU的优点。）
早在今年六月，SK海力士已经收到了NVIDIA的请求，要求对其下一代HBM3e DRAM进行采样，当NVIDIA成为现实时，它成为现实。宣布其 GH200 GPU 具有增强的 HBM3e DRAM，每个芯片提供高达 5 TB／s 的带宽。
该公司表示，凭借其作为业界最大HBM产品供应商的经验和量产准备水平，SK海力士计划在明年上半年量产HBM3E，并巩固其在AI内存市场无与伦比的领导地位。
据该公司称，最新产品不仅符合业界最高的速度标准，AI内存产品的关键规格，而且所有类别都包括容量，散热和用户友好性。
此外，通过在最新产品上采用先进质量回流模塑底部填充（MR－MUF）的尖端技术，该产品的散热性能提高了10％。它还提供向后兼容性，甚至可以在为 HBM3 准备的系统上采用最新产品，而无需修改设计或结构。
AI模型正在重塑千行百业，包括与之密切相关的计算能力产业链。如今，AI模型的快速发展对存储行业提出了新的要求。随着大型模型的出现，海量的数据需要更强的存储性能来支持高效的数据访问和处理，以释放计算能力。因此，存储行业正在升级和改变，涌现出一些新的概念和技术，如高带宽存储（HBM）等。
高带宽存储（HBM）是一种新型的内存技术，通过将DRAM堆叠在芯片上，提供了更大的带宽和更低的能耗。HBM可以满足大型模型对高速数据传输的需求，提供了更好的数据处理能力。
高性能的存储产品如HBM3E对于大型AI模型的数据处理需求至关重要，它能够满足海量数据的高速读写和处理要求，从而充分释放计算能力。
通过持续的技术创新和新产品的开发，存储行业积极应对AI模型对数据存储和处理的要求。这将进一步推动AI技术的发展，为各行各业的数字化转型和创新提供更强大的支持。
